응용

광회절 측정에 있어서 Mie theory 의 적용은 아래의 범주내의 구형입자에 적합하다.:

불투명 입자	2 micron이하가 90%인 경우에 적용.
투명 입자	200 micron이하가 90%인 경우에 적용.

Mie 이론의 적용시 비구형입자, 혼합성분에는 적합하지 않고, 반드시 입자의 굴절율을 알아야 한다.

기술사양

측정기:	광회절 측정기	HELOS 및 MYTOS
측정범위:	R1 ~ R4	입도 350 micron 이하
굴절상관 계수군의 범위 n - i*k:	굴절상수 0.01 <= n <= 3.0	흡수계수 0.0 <= k <= 5.0
평가:	HRLD evaluation mode	high resolution, high speed

추가정보

The basis for applying the Mie theory is the publication by G. Mie[2] in 1908년 G. Mie에 의하여 알려진 Mie이론은 Maxwell방정식의 정확한 해법이며, 구형입자의 잔자파광학으로 구성되고 있고,아래와 같은 Mie이론[3].으로 알려져 있다.

이 Mie이론의 적용을 위해서는 굴절상관계수군, m, 을 반드시 알아야 하며, 다음과 같이 정의된다.

m = n - i * k

부호설명
n         반사, 굴절로 표시되는 굴절율
k         흡수로 표시되는 흡수계수
i         굴절상관계수군의 m의 잔상 계수.